NUM FICHE 005
28

REDACTEUR 030
LAURANT Anne

ORGANISME 035
ISTI

DATE RED 040
9308

ILL 050

DOM GEN 060
transmission par fibres optiques (télécommunications)

DOM SPEC 065
détecteur optique

ENT AN 105
field-effect transistor (CATV-A/E, p. 81)

IN ENT AN 110
syntagme nominal, sing.

DEF AN 115
A transistor in which the resistance of the current path from source to drain is modulated by applying a transverse electric field between grid or gate electrodes; the electric field varies the thickness of the depletion layer between the gates, thereby reducing the conductance (see figure 1) (GRAW-C/E). The field-effect transistor (FET) is a semiconductor electronic device which differs significally from the ordinary bipolar transistor and depends in its operation on the control of current by an electric field. (GRAW-B/E, p. 26)

CONT AN 120
FET and bipolar amplifiers in conjunction with PIN-detectors perform equally well at 100
Mb/s. (HENT-E/E, p. 117)

AB AN 140
FET (CATV-A/E, p. 81; GRAW-C/E; GRAW-B/E, p. 26; KING-C/E/F; DELU-C/E/F)

VA AN 160
PIN field-effect transistor (NUM FICHE 52, p...)

ENT FR 205
transistor à effet de champ (DELU-C/E/F; KING-C/E/F; OLFQ-C/E/F)

IN ENT FR 210
syntagme nominal, m. sing.

DEF FR 215
Dispositif à semi-conducteur commandé par la tension et présentant une impédance d'entrée très élevée, analogue à celle d'un tube à vide. (TERM-L)

CONT FR 220
Comme exemple de phototransistors, on peut mentionner le phototransistor à effet de champ et le phototransistor Darlington. (OLFQ-C/E/F)

NOTE FR 225
Le phototransistor à effet de champ est constitué de trois couches de matériau différemment dopées. La couche centrale, appelée base, n'est pas polarisée; il se crée à travers cette couche une zone de déplétion vide de porteur. Lorsqu'un photon atteint la base du phototransistor, il communique son énergie à un électron de la bande de valence qui, si l'énergie du photon est suffisante, passe dans la bande de conduction. Il se crée une paire d'électrons-trous qui constituent le courant de base du phototransistor. Ce courant est amplifié grâce au gain du transistor pour donner un courant collecteur nettement plus important (cf. figure 2, ). (RTT-G/F, p. 31)

AB FR 240
TEC (OLFQ-C/E/F)

VA FR 260
récepteur intégré PIN-TEC (NUM FICHE 52, p....)


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Centre de recherche TERMISTI.

© Laurant, Anne 1993.