NUM FICHE 005
31

REDACTEUR 030
LAURANT Anne

ORGANISME 035
ISTI

DATE RED 040
9308

ILL 050

DOM GEN 060
transmission par fibres optiques (télécommunications)

DOM SPEC 065
source optique

ENT AN 105
injection-laser diode (CATV-A/E, p. 73)

IN ENT AN 110
syntagme nominal, sing.

DEF AN 115
A laser in which stimulated emission of coherent light occurs in a pn junction when electrons and holes are driven into the junction by carrier injection, electron-beam excitation, impact ionization, optical excitation, or other means. (GRAW-C/E)

CONT AN 120
Numerous devices are available for converting electronic signals to light; however at present only two classes of devices are suitable for fiber optic systems : (...) injection-laser diode. (CATV-A/E, p. 73)

NOTE AN 125
The light generating process of a laser diode is similar to the one in a light-emitting diode, also the materials used are the same. The laser diode differences are small light generating volume and the high concentration of injected carriers. This results in a high optical gain, a narrow spectrum, and coherence. (HENT-E/E, p. 67)

SYN AN 130
injection laser (OLFQ-C/E/F; DELU-C/E/F; NENT-C), laser diode (HENT-E/E, p. 67; OLFQ-C/E/F; GRAW-C/E), semiconductor injection laser (OLFQ-C/E/F), semiconductor laser (OLFQ-C/E/F; IEEE-C/E), diode laser (IEEE-C/E; GRAW-C/E)

AB AN 140
ILD (CATV-A/E, p. 73; OLFQ-C/E/F), LD (for laser diode) (HENT-E/E, p. 67; OLFQ- C/E/F; FISH-C/E/F)

VA AN 160
light-emitting diode (NUM FICHE 36, p...)

ENT FR 205
laser à injection (OLFQ-C/E/F)

IN ENT FR 210
syntagme nominal, m. sing.

DEF FR 215
Laser dont l'inversion de population est obtenue par l'injection d'électrons à la jonction entre deux semi-conducteurs, soit de même nature mais dopés différemment, soit de nature différente. (JOLY-C/F/E)

CONT FR 220
Nous pouvons subdiviser les sources GaAlAs en deux catégories. Nous trouvons dans la première catégorie les DEL ou diodes électroluminescentes, qui envoient de la lumière incohérente. Dans la seconde catégorie, nous avons les lasers à semi-conducteurs ou à injection qui émettent de la lumière cohérente. (TIMM-G/F, p. 238)

NOTE FR 225
Le principe de fonctionnement d'un laser à injection peut être décrit comme suit : la jonction pn est placée au sein d'un résonateur optique constitué de deux couches de confinement à la fois électronique et optique empêchant la diffusion des porteurs à l'extérieur de la zone active, de deux extrémités planes présentant un effet de miroirs maintenant à l'intérieur une grande partie des photons et de deux zones latérales de compositions et de dopages différents. L'augmentation du courant injecté entraîne l'augmentation du nombre des photons circulant dans le résonateur. Quand ceux-ci sont suffisamment nombreux, ils stimulent par interaction avec les électrons excités, la production d'autres photons de même longueur d'onde (c'est l'effet laser). L'émission de la lumière devient cohérente au-delà d'un certain seuil de courant d'injection (cf. figure, ) (R : MAIL-E/F, p. 514)

SYN FR 230
diode laser (OLFQ-C/E/F; MAIL-E/F, p. 514; PARD-E/F, p. 68), laser à semi- conducteur (OLFQ-C/E/F; PARD-E/F, p. 68; TIMM-G/F, p. 238), laser à jonction (OLFQ-C/E/F), laser à injection à semi-conducteur (BLON-G(1)/F, p. 7), diode laser à semi-conducteur (MAIL-E/F, p. 100)

231
Le terme "laser à semi-conducteur" est le synomyme le plus fréquent. (R)

AB FR 240
DL (pour diode laser) (OLFQ-C/E/F)

VA AN 260
diode électroluminescente (NUM FICHE 36, p...)


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Centre de recherche TERMISTI.

© Laurant, Anne 1993.