NUM FICHE 005

05

*

REDACTEUR 030

LAURANT Anne

ORGANISME 035

ISTI

DATE RED 040

9308

ILL 050

*

DOM GEN 060

transmission par fibres optiques (télécommunications)

DOM SPEC 065

détecteur optique

ENT AN 105

avalanche photodiode (CATV-A/E, p. 81)

IN ENT AN 110

syntagme nominal, sing.

DEF AN 115

Optical detector, called photodiode, operating in the avalanche breakdown region to achieve photocurrent multiplication, thereby providing rapid light-controlled switching operation. (GRAW-C/E)

CONT AN 120

Three main types of devices are suitable for use as detectors :
PIN diodes,
Avalanche photodiodes (APD),
PIN field-effect transistor (PIN-FET). (CATV-A/E, p. 81)

NOTE AN 125

-Light enters into the nearly intrinsic p zone from the top or the bottom of the diode where it generates electron-hole pairs by absorption of the photons energy. Electrons then travel to the high electric field inside the pn-junction, where they generate new electrons via carrier multiplication (avalanche process). Due to their inherent gain, avalanche photodiodes have higher responsivity than PIN diodes, which makes them very attractive for communication receivers. The APD construction is similar to the PIN diode construction, except that a very high electric field is established in a special-doped backbiased pn-junction. (See figure 1, ; HENT- E/E, p. 31)

AB AN 140

APD (GRAW-C/E; HENT-E/E, p. 31; CATV-A/E, p. 81)

ENT FR 205

photodiode à avalanche (OLFQ-C/E/F; REHA-C; NENT-C)

IN ENT FR 210

syntagme nominal, f. sing.

DEF FR 215

Photodiode dans laquelle le nombre de porteurs de charge créés est augmenté par un effet d'avalanche, mécanisme interne d'amplification. (A : OLFQ-C/E/F; WIEL-I/F, p. 40)

CONT FR 220

A un récepteur ou à un répéteur, les signaux optiques transmis le long de la fibre sont reconvertis en signaux électriques dans lesquels on peut récupérer les informations. La conversion optique/électrique peut être effectuée par une diode PIN ou par une photodiode à avalanche (PDA). (PARD-E/F, p. 156)

NOTE FR 225

-La figure 2 () présente des schémas expliquant le fonctionnement d'une photodiode à avalanche. La répartition des bandes d'énergie de la figure 2(b) correspond à la structure p pn (p ,n : régions de type p et de type n plus fortement dopées) de la figure 2(a) qui produit des paires d'électrons-trous en absorbant les photons incidents. Une polarisation inverse est appliquée à la jonction pn de sorte que les porteurs produits dans les régions p ou p de la bande de valence vide dérivent vers l'électrode en raison du champ électrique appliqué, produisant ainsi un courant électrique. Quand la polarisation inverse est suffisamment augmentée, il se produit un effet d'avalanche et le courant produit optiquement peut être amplifié. (PARD-E/F, p. 112)
-Un phénomène d'avalanche permet de multiplier par 100 le courant électrique. Ce type de structure a donc l'avantage d'une grande sensibilité qui permet de l'utiliser à des fréquences supérieures à 1 GHz. (LAFO-G/F, p. 24)

SYN FR 230

photodétecteur à avalanche (DELU-C/E/F), détecteur à avalanche (MAIL-E/F; p. 156)

AB FR 240

PDA (OLFQ-C/E/F; REHA-C; PARD-E/F, p. 156)

VO FR 245

photo-diode à avalanche (PARD-E/F, p. 112)

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© Laurant, Anne 1993.