- NUM FICHE 005
- 51
- REDACTEUR 030
- LAURANT Anne
- ORGANISME 035
- ISTI
- DATE RED 040
- 9308
- ILL 050
- DOM GEN 060
- transmission par fibres optiques (télécommunications)
- DOM SPEC 065
- détecteur optique
- ENT AN 105
- PIN diode (CATV-A/E, p. 81)
- IN ENT AN 110
- syntagme nominal, sing.
- DEF AN 115
- A diode with a large intrinsic region sandwiched between p and n doped semiconducting regions. Photons absorbed in this region create electron-hole pairs that are then separated by an electric field, thus generating an electric current in load circuit. (IEEE-C/E)
- CONT AN 120
- The most simple and most used light detector is a PIN diode, where PIN means that between doped parts P and N lies an intrinsic (nondoped) zone. (CATV-A/E, p. 81)
- NOTE AN 125
- The PIN diode is the most important detector type due to its simplicity, stability and bandwidth. Highly conductive p and n zones on either side of a low conducting intrinsic zone characterize the PIN diode. Photons enter the i-zone via a connecting metal ring and a shallow p region to generate electron-hole pairs. The PIN diode is normally backbiased, so the generated charges drift to the p and n zones, being pulled by the electric field in between (see figure 1, ). (HENT-E/E, p. 105)
- SYN AN 130
- PIN photodiode (OLFQ-C/E/F; REHA-C), positive-intrinsic-negative photodiode (OLFQ-C/E/F)
- ENT FR 205
- photodiode PIN (OLFQ-C/E/F; REHA-C; PARD-E/F, p. 114)
- IN ENT FR 210
- syntagme nominal, f. sing.
- DEF FR 215
- Photodiode à l'intérieur de laquelle une couche de semi-conducteur intrinsèque faiblement dopée a été insérée entre les semi-conducteurs positif et négatif qui forment une jonction PN. (OLFQ-C/E/F)
- CONT FR 220
- La photodiode à avalanche (PDA) et la PD (photodiode PIN) servent de détecteurs pour les récepteurs de communications optiques. (PARD-E/F, p. 114)
- NOTE FR 225
- Le fonctionnement de la photodiode PIN peut être compris à l'aide de la figure 2 (, PARD-A/F, p. 111). Au lieu des régions p pn en (b), il y a une simple structure PIN et comme la multiplication par avalanche n'est pas nécessaire, le fonctionnement s'opère avec une tension de polarisation inverse relativement faible. Comme la diode PIN n'a pas d'effet d'amplification de courant, elle produit beaucoup moins de bruit que la photodiode à avalanche. (A : PARD-E/F, p. 111; JOLY-C/F/E)
- SYN FR 230
- diode PIN (PARD-E/F, p. 111; JOLY-C/F/E), détecteur PIN (MAIL-E/F, p. 516)
- AB FR 240
- PD (PARD-E/F, p. 114)
Retourner à l'index.
Consulter la bibliographie.
Retourner à la liste des microglossaires.
Centre de recherche TERMISTI.
© Laurant, Anne 1993.